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AON6232
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
10
V DS =20V
4000
8
I D =20A
3500
3000
C iss
6
2500
2000
C oss
4
1500
1000
2
500
C rss
0
0
0
5
10
15
20 25 30 35
40
45
0
10
20 30
40
1000.0
Q g (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
200
V DS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
T J(Max) =150
C
100.0
R DS(ON)
10 μ s
10 μ s
160
T C =25
C
10.0
1.0
T J(Max) =150
T C =25 C
C
DC
100 μ s
1ms
10ms
120
80
17
5
2
10
0.1
0.0
40
0
0
18
0.01
0.1 1 10
V DS (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased
Safe Operating Area (Note F)
100
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-Case
(Note F)
10
D=T on /T
T J,PK =T C +P DM .Z θ JC .R θ JC
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
0.1
R θ JC =1.5
C/W
40
P D
T on
0.01
Single Pulse
T
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
Rev 0: August 2011
www.aosmd.com
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